Детальная информация
Неразрушаемая память, предназначенная для хранения данных после выключения питания Это массив транзисторов с плавающим затвором, программируемых путем приложения более высокого напряжения, чем это необходимо для работы устройства. Информация может быть удалена путем УФО (длина волны обычно 235 нм). Чип EPROM легко распознать по наличию прозрачного кварцевого окна, предназначенного для пропуска УФО.
Изменение заряда ("запись" и "стирание") производится приложением между затвором и истоком большого потенциала чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта.
Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора что и регистрируется цепями чтения.
Основная особенность классической ячейки EEPROM - наличие второго транзистора который помогает управлять режимами записи и стирания. Некоторые реализации выполнялись в виде одного трехзатворного полевого транзистора (один затвор плавающий и два обычных).